场效应管工作（场效应管工作状态判断）

场效应管的工作的原理是什么

1、场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。

2、场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

3、它的工作原理是，当在晶体管的源极和漏极之间施加一个外部电场时，晶体管的源极和漏极之间的电压会发生变化，从而改变晶体管的导通状态。

4、磁场效应管是一种电子器件，它的工作原理是：当一个外加的磁场通过磁场效应管的控制电极时，它会改变控制电极的电容，从而改变磁场效应管的电流。

5、场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

6、场效应管（FieldEffectTransistor，FET）是一种半导体电子器件，其工作原理与普通的晶体管类似，都是通过控制门电流来控制通道电流的流动。

场效应管工作原理是场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

场效应管（FieldEffectTransistor，FET）是一种半导体电子器件，其工作原理与普通的晶体管类似，都是通过控制门电流来控制通道电流的流动。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

场效应管（FET，Field Effect Transistor)电压产生的电场来控制管子工作的。现在最常用的是MOSFET（M是金属，O是氧化物，S是半导体），三者恰好形成一个电容，中间的氧化物作为电容的电介质。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

磁场效应管是一种电子器件，它的工作原理是：当一个外加的磁场通过磁场效应管的控制电极时，它会改变控制电极的电容，从而改变磁场效应管的电流。

场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)场效应管工作原理基于控制一块金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的电场来控制电流流动。电场由一个电压源(通常是控制电极)产生，通过改变这个电压来调节电流的流动。

：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。

场效应管放大电路工作在放大状态。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

大功率的三极管大多是一些场效应管，一般处于导通状态，其输出的电流较大，耐压一般在1KV以上，其目的有时候在电路中是为了提高输出负载功率。三极管的作用：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。