光电效应可分为哪三种类型?
光电效应可分为三种类型： 外光电效应：在外光电效应中，光照射到材料表面时，电子会因获得足够的能量而从材料中逸出。光电管和光电倍增管就是基于这种效应的典型光电传感器。它们的关键部件——光电发射极，通常由能够发生光电发射的材料制成。
光电效应主要分为以下三种类型： 外光电效应：在外光电效应中，光激发产生的电子能够从材料表面逸出，形成电流。这种现象通常发生在光照射到光电导体表面时，如果光照强度足够大，价带上的电子获得足够能量跃迁到导带，成为自由电子，并从材料表面逸出。
电效应可分为：外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。
光电效应有三种类型：外光电效应、内光电效应和后光电效应。外光电效应（external photoelectric effect）是最常见的一种光电效应。当光子的能量大于物质表面的逸出功时，光子可以将金属表面的电子激发出来。这一现象在光电导、光电池等多种电子器件中得到应用。
光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。
光电效应是光子与物质相互作用的结果，可以分为三种主要类型：外光电效应、内光电效应和后光电效应。 外光电效应（External Photoelectric Effect）当光子的能量超过物质表面的逸出功时，光子能够将电子从金属表面打出。这一现象是光电池和光电导等器件工作的基础。
内光电效应的两种类型及特征
1、内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：光电导效应：在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。光生伏特效应：在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。
2、内光电效应主要分为两种类型：光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应 当光线照射到材料上时，电子吸收光子能量从束缚状态跃迁到自由状态，导致材料电导率发生变化的现象被称为光电导效应。这种效应是光敏电阻等光电器件的基础。
3、体现的是粒子性。光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率，即光子能量要够大。光电效应发生时间极短，没有滞后。一个光子对应一个电子，激发出来的叫光电子。光的强度增加，指的是单位时间内的光子个数增加。光强的增加会增加电流的大小，不会增加电子的初动能。
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内光电效应的简介
1、内光电效应概述：当光照射到半导体或绝缘体表面时，会激发物体内部的受束缚电子，进而改变其导电性能。照射的辐射通量越大，激发的电子数越多，物体的电阻值就越小。光导管：光导管是一种基于内光电效应的半导体器件。常见的半导体光导管材料包括硫化镉、硫化铅、硫化铟、硒化镉和硒化铅等。
2、光照射到半导体或绝缘体的表面时，使物体内部的受束缚电子受到激发，从而使物体的导电性能改变。这就称为内光电效应。显然照射的辐射通量愈大，则被激发的电子数愈多，该物体的电阻值就变的愈小 。光导管（又称光敏电阻）就是利用内光电效应制成的半导体器件。
3、内光电效应是一种光电效应类型，主要通过光量子作用引发物质电化学性质的改变，如电阻率的变动。与之相对的外光电效应则表现为电子的逸出。内光电效应主要分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应发生时，当入射光子击中半导体表面，会激发产生电子空穴对，导致半导体自生电导增大。
4、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。 赫兹于1887年发现光电效应，爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应。金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。
5、光电效应简介：光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波，该频率称为极限频率照射下，某些物质内部的电子吸收能量后逸出而形成电流，即光生电。光照射到金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应。
6、光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。
什么叫做内光电效应
1、内光电效应，是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化，比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。
2、内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。
3、内光电效应是指当光线入射到某些物质中时，光子与物质内部的电子相互作用，导致电子吸收光能后发生运动状态的变化。具体体现为电子在吸收光能后从高能级跃迁至低能级，并可能产生电信号的效应。它主要与内部分电子在特定介质中的运动和能量状态变化有关。以下详细介绍这一效应的特点及工作原理。
4、内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。
5、内光电效应，作为光电效应的一种独特形式，其核心原理是光量子的能量作用于物质，诱发电化学性质的转变。这种效应主要分为光电导效应和光生伏特效应两个方面：首先，光电导效应在光照作用下显现。当光子射入半导体表面，半导体会吸收光子，促使电子和空穴对的产生，这导致了半导体自身的电导率有所增加。
6、外光电效应 指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。 光电管 及 光电倍增管 均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的 材料制造 的。内光电效应 指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。
